Samgung Electronic Corp, el líder mundial en el desarrollo de chips de memorias, empieza la fabricación de forma masiva de chips de PRAM (Phase change Random Access Memory), después de unos meses de retraso. PRAM es un tipo de memoria no volátil que almacena la información cambiando el cristal de 'chalcogenide' entre dos estados: cristalino y amorfo. Esta memoria utilizará un tamaño de celdas de 0.467 micras cuadradas (la mitad de tamaño de las actuales memorias NOR Flash) y utilizará diodos verticales en una estructura tridimensional, lo anterior significa que requerirán un 20% menos de etapas de proceso que la memoria NOR Flash. Se supone que podrá ser hasta 30 veces más rápida y soportar 10 veces más ciclos de escritura que las memorias flash de tipo NOR y NAND.
El primer chip PRAM de Samsung es de 512Mb y está fabricado usando un proceso de fabricación de 60nm. Estos módulos permiten reescribir los datos sin necesidad de borrar lo que ya había escrito, pero también pueden borrar 64 KWs (Kilowords) en 80 milisegundos, lo cual es 10 veces más rápido que una memoria flash NOR. Y en segmentos de datos de 5 Megabytes, el chip puede borrar y reescribir datos aproximadamente 7 veces más rápido que una memoria flash NOR. Por otro lado, y según afirma Samsung, durarán hasta 10 veces más que los módulos de memoria convencionales. Todavía no tenemos claro en qué dispositivos podremos instalarlos, pero lo más seguro es que se implante en teléfonos móviles de la propia marca.
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