miércoles, 23 de septiembre de 2009

Memorias DDR3 un 50% más rápidas


El fabricante Kingston se ha unido con Rambus para la creación de un prototipo DDR3 nuevo, un módulo de memoria diseñado para ordenadores multi-núcleo (multi-threaded). La optimización de estos módulos, presuntamente obtiene como resultado un rendimiento del 50% de aumento en comparación con los módulos actuales de DDR3. Además, las empresas afirman que el consumo de energía se ha reducido hasta en un 20%. También el circuito nuevo es mucho más eficaz y no necesita de tanto voltaje como los actuales.

El aumento de los sistemas de computación con múltiples núcleos requiere un mayor ancho de banda y mayores tasas de acceso aleatorio a las memorias DRAM, explican desde Rambus. Pero no está diciendo mucho más, aunque a muchos les gustaría saber acerca de la compatibilidad con la actual generación de placas base con DDR3, pero la compañía está preparada para revelar más novedades la próxima semana, así que permaneceremos atentos.

Se trata de un avance antes de la llegada de DDR4, que promete un gran aumento de rendimiento con transferencia de datos a una tasa de reloj efectiva de 3.200 MHz y para la que Rambus ha propuesto la incorporación de tecnologías como FlexPhase, reduciendo la necesidad de un trazado específico en los PCBs, Dynamic-Point-to-Point (DPP), para mejora tanto de la escalabilidad como de la integridad de la señal y Octal Data Rate (ODR), que transfiere ocho bits de datos en cada ciclo de reloj.

No hay comentarios:

Publicar un comentario