martes, 24 de agosto de 2010

Desarrollan Memorias Flash TLC (3 bits por celda) a 25nm


Intel y Micron a través de la sociedad que tienen conjuntamente IM Flash Technologies (IMFT), han anunciado el desarrollo de una nueva clase de memoria NAND Flash fabricada a 25nm, de tipo TLC (Triple Level Cell) que pueden almacenar hasta 3 bits de información por celda, a diferencia de las actuales memorias NAND Flash SLC (Single Level Cell) que almacenan 1 bit de información por celda y los 2 bits de las memorias NAND Flash MLC (Multi Level Cell). Con las memorias Flash TLC se puede producir el almacenamiento más grande en capacidad de datos y el más pequeño en tamaño físico de toda la industria. Esto quiere decir que los chips serán más baratos de producir, requieren menos energía, y para el mismo almacenamiento se reduce el tamaño de los chips en un 20% comparado con las memorias Flash MLC de 25nm.

De momento se están entregando las primeras muestras de esta nueva tecnología a diferentes fabricantes que podrían incluirla en algunos dispositivos como teléfonos móviles, reproductores portátiles, o cámaras digitales, y se espera que a finales de año comience la producción masiva. Lamentablemente esta tecnología no sería rentable en las unidades SSD debido a que al aumentar el número de bits por célula, también crece el nivel de desgaste que sufren los datos en estos chips a medida que pasa el tiempo, por lo que hay que quedarse con los avances en SLC y MLC, dejando los TLC para almacenamiento temporal como el que requieren las tarjetas de memoria SD o pendrives.

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